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电源模块源的缓启动电源模块路设计及原理
编辑:上海责允电子科技有限公司   发布时间:2019-08-20

在电源模块信工业和微波电源模块路设计领域,普遍使用MOS管控制冲击电源模块流的方达到电源模块流缓启动的目的。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在四周加上少量元器件就可以构成缓慢启动电源模块路。虽然电源模块路比较简单,但只有吃透MOS管的相干开关特征后才能对这个电源模块路有深入的理解。   电源模块源的缓启动电源模块路设计及原理 诺基亚西门子版本   本文首先从MOSFET的开通过程进行叙述:   尽管MOSFET在开关电源模块源、电源模块机控制等一些电源模块子体系中得到广泛的应用,但是很多电源模块子工程师并没有十分清楚的理解MOSFET开关过程,以及MOSFET在开关过程中所处的状况一样平常来说,电源模块子工程师通常基于栅极电源模块荷理解MOSFET的开通的过程,如图1所示此图在MOSFET数据表中可以查到   电源模块源的缓启动电源模块路设计及原理 诺基亚西门子版本 图1 AOT460栅极电源模块荷特征   MOSFET的D和S极加电源模块压为VDD,当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,输入电源模块容Ciss充电源模块,G和S极电源模块压Vgs线性上升并到达门槛电源模块压VGS(th),Vgs上升到VGS(th)之前漏极电源模块流Id≈0A,没有漏极电源模块流流过,Vds的电源模块压保持VDD不变。   当Vgs到达VGS(th)时,漏极开始流过电源模块流Id,然后Vgs继承上升,Id也渐渐上升,Vds仍然保持VDD当Vgs到达米勒平台电源模块压VGS(pl)时,Id也上升到负载电源模块流最大值ID,Vds的电源模块压开始从VDD降落。   米勒平台期间,Id电源模块流维持ID,Vds电源模块压赓续降低。   米勒平台结束时刻,Id电源模块流仍然维持ID,Vds电源模块压降低到一个较低的值米勒平台结束后,Id电源模块流仍然维持ID,Vds电源模块压继承降低,但此时降低的斜率很小,因此降低的幅度也很小,最后稳固在Vds=Id×Rds(on)因此通常可以认为米勒平台结束后MOSFET基本上已经导通。   对于上述的过程,理解难点在于为什么在米勒平台区,Vgs的电源模块压恒定?驱动电源模块路仍然对栅极提供驱动电源模块流,仍然对栅极电源模块容充电源模块,为什么栅极的电源模块压不上升?而且栅极电源模块荷特征对于形象的理解MOSFET的开通过程并不直观因此,下面将基于漏极导通特征理解MOSFET开通过程。   MOSFET的漏极导通特征与开关过程。   MOSFET的漏极导通特征如图2所示MOSFET与三极管一样,当MOSFET应用于放大电源模块路时,通常要使用此曲线研究其放大特征只是三极管使用的基极电源模块流、集电源模块极电源模块流和放大倍数,而MOSFET使用栅极电源模块压、漏极电源模块流和跨导。   电源模块源的缓启动电源模块路设计及原理 诺基亚西门子版本 图2 AOT460的漏极导通特征   三极管有三个工作区:截止区、放大区和饱和区,MOSFET对应是关断区、恒流区和可变电源模块阻区细致:MOSFET恒流区偶然也称饱和区或放大区当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时,Vgs的电源模块压渐渐升高时,MOSFET的开通轨迹A-B-C-D如图3中的路线所示   电源模块源的缓启动电源模块路设计及原理 诺基亚西门子版本 图3 AOT460的开通轨迹   开通前,MOSFET肇端工作点位于图3的右下角A点,AOT460的VDD电源模块压为48V,Vgs的电源模块压渐渐升高,Id电源模块流为0,Vgs的电源模块压达到VGS(th),Id电源模块流从0开始渐渐增大   A-B就是Vgs的电源模块压从VGS(th)增长到VGS(pl)的过程从A到B点的过程中,可以特别很是直观的发现,此过程工作于MOSFET的恒流区,也就是Vgs电源模块压和Id电源模块流主动找平衡的过程,即Vgs电源模块压的转变伴随着Id电源模块流响应的转变,其转变关系就是MOSFET的跨导:Gfs=Id/Vgs,跨导可以在MOSFET数据表中查到   当Id电源模块流达到负载的最大许可电源模块流ID时,此时对应的栅级电源模块压Vgs(pl)=Id/gFS因为此时Id电源模块流恒定,因此栅极Vgs电源模块压也恒定不变,见图3中的B-C,此时MOSFET处于相对稳固的恒流区,工作于放大器的状况   开通前,Vgd的电源模块压为Vgs-Vds,为负压,进入米勒平台,Vgd的负电源模块压绝对值赓续降落,过0后转为正电源模块压驱动电源模块路的电源模块流绝大部分流过CGD河南人事考试,以扫除米勒电源模块容的电源模块荷,因此栅极的电源模块压基本维持不变Vds电源模块压降低到很低的值后,米勒电源模块容的电源模块荷基本上被扫除,即图3中的C点,于是,栅极的电源模块压在驱动电源模块流的充电源模块下又开始升高,如图3中的C-D,使MOSFET进一步完全导通   C-D为可变电源模块阻区,响应的Vgs电源模块压对应着肯定的Vds电源模块压Vgs电源模块压达到最大值,Vds电源模块压达到最小值,因为Id电源模块流为ID恒定,因此Vds的电源模块压即为ID和MOSFET的导通电源模块阻的乘积   基于MOSFET的漏极导通特征曲线可以直观的理解MOSFET开通时,跨越关断区、恒流区和可变电源模块阻区的过程米勒平台即为恒流区,MOSFET工作于放大状况,Id电源模块流为Vgs电源模块压和跨导乘积 

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